中国首台5纳米光刻机（中国五纳米光刻技术取得突破）

上海28纳米级DUV光刻机预计2023年供货，Asml的最新DUV光刻机可以达到7纳米级，成本合适较简单线路的逻辑运算芯片。

长春光机所镜头组实现33-22纳米级初次曝光，比蔡司为Asml开发镜头组实现13.5纳米差距比较大，但是比28纳米级157纳米初次曝光好过5倍左右，实现5纳米还是可以实现。

EUV所需高功率13.5纳米深紫外线光源和双工工作台也已经成功。

现在市场是需要的是14-28纳米级芯片，一块电路板高密度高端芯片就一两只，大量的还是低密度成熟芯片。电动车芯片量大，电动车体积比手机笔记本大得多，需要大量28纳米芯片，密集人工智能处理器GPU数量1-2，当然没有也不行，5纳米也很接近最先进。

中国半导体工业目前主攻14-28纳米大宗芯片。